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MCZ(磁场直拉)太阳能硅片关键技术研发

文章来源:  |  发布时间:2012-10-09  |  【打印】 【关闭

项目概况

面对全球逐年增加的能源需求和不断恶化的环境问题,开发利用可再生能源成为世界各国建立可持续能源体系的根本出路。太阳能作为一种开发潜力巨大的可再生能源,日益受到包括中国在内的世界各主要国家的高度关注。据国际能源署不完全统计,目前已有50多个国家和地区制定了激励可再生能源发展的政策。作为可再生能源事业重要组成部分的太阳能光伏发电产业,近年来获得了长足发展,我国也已跻身为世界太阳能电池生产国,并带动了太阳能级单晶硅产业的迅速发展。如何提升硅片制造工艺、有效控制硅片的含氧量,将直接影响太阳能电池光电转换率。目前。国内外厂家降低氧含量技术上可行的方法有:采用更高的高纯硅料;采用区熔法;采用MCZ技术。由于前两种方法将大大增加制备成本,所以对于太阳能级硅最有效的途径是对单晶炉外加MCZ磁场,引入带磁场直拉技术。本项目将围绕MCZ硅片的制备工艺,及关键设备单晶炉专用磁场的研制开展研发工作。此项目目前处于实验室阶段。

应用前景:

本项目开发的MCZ低氧单晶硅片能有效抑制光衰减,提高下游电池片及组件的转化率,无疑具有很强的市场竞争力,市场前景非常看好。

预期效果:

项目预计生产2套专用磁场装置,并结合完善的MCZ硅片工艺推向相关企业,通过技术升级协助企业实现经济效益5001000万元。待产业化逐渐成熟后,技术改造范围会进一步扩大,低氧单晶硅片生产能力也会增强,实现更高的经济效益。

合作方式:

    一次性转让、技术入股加入门费和专利授权

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