项目概况：

ZnO单晶作为一种宽带半导体材料具有许多应用潜力，如制作高效率兰色、紫外发光和探测器、新型大功率微波器件等。本成果提供一种氧化锌体单晶生长技术。作为第三代半导体的核心基础材料之一的ZnO晶体既是一种宽禁带半导体，又是一种具有优异光电性能和压电性能的多功能晶体。中国科学院所属单位的科研人员研究掌握了一种生长高质量、大尺寸ZnO单晶材料的新型技术方法-化学气相传输法（CVT法），而且采用CVT法已生长出了直径32毫米和直径45毫米，4毫米厚的ZnO单晶。

此项目目前处于产业化阶段。

技术创新点：

这种ZnO单晶材料的位错密度为200cm²，显示了相当好的材料质量。与生长ZnO单晶的其它方法相比，采用闭管CVT法生长ZnO单晶的突出优点是生长设备成本低、生长速度快、材料的质量好。此外，整个生长过程在封闭的石英管内进行，无需携载气体，因而进一步降低了材料的生长成本。这项技术的突破对于提供价格低、质量好的ZnO单晶衬底材料，满足研制新型蓝光、紫外光器件的需求具有重要的意义。

合作状况：

与北京京温蓝源光电材料有限公司开展合作，研制大尺寸低阻ZnO单晶衬底，为半导体新材料的发展应用拓宽了渠道。

市场化前景：

ZnO单晶所具有的光学、电学和结构特性优于GaN、SiC等其它的宽禁带材料，这包括高的激子束缚能（ZnO为60meV，GaN为25meV），具有很好的抗辐照性能，对可见光透明，适合进行湿法化学加工处理等。这些特性使得ZnO光电器件在民用方面可用于超高密度光存储、全色显示、白光照明、激光打印、火焰传感器、污染检测仪、紫外光控制器、紫外光谱仪、透明大功率电子器件和太阳能电池的窗口材料等。

投资规模：

3000万元

合作方式：

一次性转让或技术入股加入门费